饱和压降是指在晶体管或其他半导体器件的饱和状态下，集电极-发射极之间的电压。以下是求饱和压降的基本步骤：
1. 确定器件的工作条件，包括集电极电流（Ic）和集电极-发射极之间的电压（Vce）。
2. 使用欧姆定律计算饱和压降，即 Vce = Vcc - Ic * hFE，其中 Vcc 是供电电压，hFE 是电流放大系数。
3. 对于IGBT（绝缘栅双极型晶体管），饱和压降通常通过外加电压钳制电路来测量，避免示波器量程设置不当导致的误差。
4. 对于三极管，饱和压降通常在1V左右，可以直接使用普通电压表进行测量。
5. 对于多级放大电路，需要将每一级的饱和压降相加以得到整体的饱和压降。
请根据具体情况选择合适的测量方法，并注意考虑器件参数和电路工作状态